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多晶硅清洗污染物超聲波清洗機(jī)

時間:2017-10-12    點擊: 次    來源:網(wǎng)絡(luò)    作者:佚名 - 小 + 大

    傳統(tǒng)的硅片清洗技術(shù)是基于美國無線電公司研發(fā)的RCA (Radio Company of America的縮寫)清洗技術(shù),這種清洗技術(shù)必須消耗大量的強(qiáng)酸、強(qiáng)堿等洗劑,不但成本太高、污染更是大的驚人,目前只在電子級的硅片清洗中還在使用。在RCA清洗技術(shù)的原理上,可依據(jù)太陽能多晶硅片表面污染物的種類特性,開發(fā)一種低成本高效率的多晶硅片除油除塵清洗技術(shù)是必須的。采用超聲波清洗工藝,雷士超聲波科技先計算硅片的清洗數(shù)量,先確定40KHZ超聲波頻率,然后根據(jù)數(shù)量排布超聲波的功率為16KW,清洗槽的加熱溫度65℃,加熱管使用M型加熱管還是鋁基貼膜加熱,這個可以廠方需要來設(shè)定。然后計算清洗時間,分配清洗劑濃度配比一般為120,對污染硅片清洗后表面接觸角的影響,確定了硅片清洗劑的最佳實驗室清洗工藝為超聲功率80W,溫度60,清洗時間5min,清洗劑濃度10%。超聲波清洗技術(shù)清洗污染的硅片后,硅片的表面形貌不變、接觸角小和表面粗糙度低,有機(jī)物和金屬離子殘留少,具有較高的潔凈度,達(dá)到非常好的清洗效果。

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