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超聲波清洗多晶硅硅晶圓提高品質

時間:2017-10-12    點擊: 次    來源:網絡    作者:佚名 - 小 + 大

   多晶硅硅片制片過程中,氧化、外延、擴散、光刻等工序都要涉及到去除污染物的清洗,其表面污染物的如果不去除,或去除不徹底,會嚴重影響晶片優質品率,同時影響晶片的可靠性,清洗多次反復清洗,不但要去除硅片表面的有機物,清洗液通常采用堿性或弱堿性洗液,表面顆粒尺寸小于微米甚至達到納米級,清洗有效率高,晶片無沉淀,達到理想的清洗效果。 多晶硅加工研磨中,比較值得注意的環節是硅磨片的清洗,因為研磨需要去除硅晶圓一定的厚度,隨著加工的深入,磨片表面不斷掉落的硅粉和沙粒,影響著光潔度,再次如有研磨不均勻則還會在晶圓片毛糙的表面嵌入沙粉,后續的清洗工作就帶來了困難。雷士超聲波科技人員通過實驗,利用堿性清洗劑,在LSAP超聲波清洗設備清洗槽中,配合滲透劑、表面活性劑等對硅磨片進行清洗,這種超聲波水基型清洗的方法,可以把清洗時間降低到35分鐘,有效提高了清洗的效率和清洗效果,并且對硅晶圓、研磨晶片表面無損傷。詳情可致電0510-82465315

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